1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
2000, 22(1): 73-77.
刊出日期：2000-01-19
关键词:
认证协议; BAN逻辑
本文指出了W.Mao(1995)对其协议(1)的证明中存在的错误,并对其在协议理想化过程中提出的N-u规则作了探讨,指出其扩展N-u的三条规则的缺陷,并作了改进,最后,给出一个例子说明N-u规则的应用。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
关键词:
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
2007, 29(1): 201-204.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2005.00574
刊出日期：2007-01-19
通过对Xu(2004)和Zhang(2004)提出的两种环签名方案进行分析，指出了这两种环签名方案都容易受到群成员改变攻击(group-changing attack)，并给出了攻击方法；另外，Zhang的方案还容易受到多已知签名存在伪造(multiple-known-signature existential forgery)攻击。为防范这两种攻击，对这两种环签名方案进行了改进，改进后的方案在最强的安全模型(Joseph, 2004提出)中仍是安全的。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
关键词:
天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输，提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE)，进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE，用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明，IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比，均表现出更强的纠错能力，另外，与GE方案相比，IGE可以更好的保护正确字节，有效的减少信息浪费。
2022, 44(8): 2949-2956.
doi: 10.11999/JEIT210537
刊出日期：2022-08-17
针对目前图像隐写检测模型中线性卷积层对高阶特征表达能力有限，以及各通道特征图没有区分的问题，该文构建了一个基于多层感知卷积和通道加权的卷积神经网络(CNN)隐写检测模型。该模型使用多层感知卷积(Mlpconv)代替传统的线性卷积，增强隐写检测模型对高阶特征的表达能力；同时引入通道加权模块，实现根据全局信息对每个卷积通道赋予不同的权重，增强有用特征并抑制无用特征，增强模型提取检测特征的质量。实验结果表明，该检测模型针对不同典型隐写算法及不同嵌入率，相比Xu-Net, Yedroudj-Net, Zhang-Net均有更高的检测准确率，与最优的Zhu-Net相比，准确率提高1.95%～6.15%。
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
关键词:
电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
2021, 43(12): 3749-3757.
doi: 10.11999/JEIT200740
刊出日期：2021-12-21
在分布式存储系统中，当节点发生故障时局部修复码(LRC)可以通过访问少量其他节点来恢复数据，然而LRC的局部度不尽相同，该文构造了短码长且局部度较小的四元LRC。当码长不超过20，最小距离大于2时，若四元距离最优线性码的生成阵维数不超过校验阵维数，可利用其生成阵给出LRC，否则利用其校验阵给出LRC。对已构造的LRC的生成阵或校验阵，利用删除、并置等方法得到新矩阵，从而构造出190个码长$n \le 20$ ，最小距离$d \ge 2$ 的LRC。除12个LRC外，其他LRC是局部度最优的。
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